Bu çalışmada, n=1-9 aralığındaki saf bor atom topakları (Bn) ile arsenik katkılı bor
topaklarının (AsBn) elektronik ve yapısal özellikleri incelendi. Bu çalışmada yapılan
hesaplamalar Yoğunluk Fonksiyon Teorisi (DFT/B3LYP fonksiyoneli) formalizmi
altında GAUSSIAN 09 programı kullanılarak gerçekleştirildi. İlk olarak her atom
topağının farklı izomerleri HF/3-21G teori seviyesinde optimize edildi. Ardından en
kararlı izomerler B3LYP/6-311+G(2df) teori seviyesinde herhangi bir simetri
kısıtlaması olmadan yeniden optimize edildi ve ardından titreşim frekansı analizleri
gerçekleştirildi. Son olarak ise doğru enerji değerlerinin elde edilebilmesi için en kararlı
yapılara tek nokta enerji (SPE) hesaplamaları yapıldı. En kararlı izomerler için
doğrudan iyonlaşma potansiyelleri (VIP), doğrudan elektron ilgileri (VEA), HOMOLUMO
enerji farkları (Eg), atom başına bağlanma enerjileri (Eb), kimyasal sertlikleri
(), yük dağılımları ve radyal dağılım fonksiyonları (RDF) incelendi ve tartışıldı.
In this study, the electronic and structural properties of pure boron clusters with
arsenide doped boron clustersin range of n=1-9 was investigated. This calculations was
performed by means of Density Functional Theory (DFT/B3LYP functional) formalism
in Gaussian 09 software. Firstly, the different isomers of the each atom cluster were
optimized by HF/3-21G level of theory. Then, selected the most stable isomers were
reoptimizated and carried out vibrational frequency analyses without any symmetry
restrictions by B3LYP/6-311+G(2df) level of theory. Finally, the most stable isomers
carried out single point energy (SPE) calculations to obtain accurate energy values.
Vertical ionization potential (VIP), vertical electron affinity (VEA), HOMO-LUMO
energy gap (Eg), binding energy (Eb), chemical hardness (), charge distributions and
radial distribution functions (RDF) have also been investigated and discussed for the
most stable isomers.
