Arsenik Katkılı Bor (Asbn; N=1-9) Topaklarının Yapısal Ve Elektronik Özelliklerinin İncelenmesi

Abstract

Bu çalışmada, n=1-9 aralığındaki saf bor atom topakları (Bn) ile arsenik katkılı bor topaklarının (AsBn) elektronik ve yapısal özellikleri incelendi. Bu çalışmada yapılan hesaplamalar Yoğunluk Fonksiyon Teorisi (DFT/B3LYP fonksiyoneli) formalizmi altında GAUSSIAN 09 programı kullanılarak gerçekleştirildi. İlk olarak her atom topağının farklı izomerleri HF/3-21G teori seviyesinde optimize edildi. Ardından en kararlı izomerler B3LYP/6-311+G(2df) teori seviyesinde herhangi bir simetri kısıtlaması olmadan yeniden optimize edildi ve ardından titreşim frekansı analizleri gerçekleştirildi. Son olarak ise doğru enerji değerlerinin elde edilebilmesi için en kararlı yapılara tek nokta enerji (SPE) hesaplamaları yapıldı. En kararlı izomerler için doğrudan iyonlaşma potansiyelleri (VIP), doğrudan elektron ilgileri (VEA), HOMO- LUMO enerji farkları (Eg), atom başına bağlanma enerjileri (Eb), kimyasal sertlikleri, yük dağılımları ve radyal dağılım fonksiyonları (RDF) incelendi ve tartışıldı.

In this study, the electronic and structural properties of pure boron clusters with arsenide doped boron clustersin range of n=1-9 was investigated. This calculations was performed by means of Density Functional Theory (DFT/B3LYP functional) formalism in Gaussian 09 software. Firstly, the different isomers of the each atom cluster were optimized by HF/3-21G level of theory. Then, selected the most stable isomers were reoptimizated and carried out vibrational frequency analyses without any symmetry restrictions by B3LYP/6-311+G(2df) level of theory. Finally, the most stable isomers carried out single point energy (SPE) calculations to obtain accurate energy values. Vertical ionization potential (VIP), vertical electron affinity (VEA), HOMO-LUMO energy gap (Eg), binding energy (Eb), chemical hardness, charge distributions and radial distribution functions (RDF) have also been investigated and discussed for the most stable isomers.